快科技10月22日音尘，据报谈，好意思光近日在2026年OCP峰会上公布下一代存储技巧道路图，消失DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大标的云开体育，多项筹商较上代收尾翻倍级擢升。

DDR6的带宽预测达到DDR5的两倍以上，主要面向高可靠性奇迹器市集。LPDDR6的能效较LPDDR5擢升进步35%，在部分密度成立下擢升幅度更大，同期兼顾数据中心与迁徙建造场景。

两者均基于好意思光行将推出的1δ（1-Delta）DRAM工艺节点，该节点堪称“人人开头进DRAM”，位密度较上代擢升约20%，筹划2027年下半年插足量产爬坡阶段。

在HBM领域，好意思光初度建议垂直HBM（vHBM）倡导，将内存平直堆叠在野心芯片上方，收尾最短的内存到野心旅途。

vHBM将依靠混杂铜键合、热感知遐想与系统协同优化来擢升互连密度和能效，首代居品预测2028年推出，2030年演进至vHBM3。

NAND方面，好意思光跳过一代平直推出G11，堆叠层数打破400层，遴荐晶圆级键合技巧，位密度约为G9的两倍，I/O速率擢升1.5倍，每比特数据传输能耗裁减25%以上，一样筹划2027年下半年量产。好意思光总裁Scott DeBoer称其为“人人开头进的NAND”。

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